Descripción
Infineon IRF520NSTRLPBF
MOSFET Infineon, canal N, 200 mΩ, 9,7 A, D2PAK (TO-263), montaje en superficie
Datos técnicos
Tipo de canal N
Corriente máxima de drenaje continuo 9,7 A
Voltaje máximo de fuente de drenaje 100 V
Serie HEXFET
Tipo de paquete D2PAK (TO-263) )
Tipo de montaje Montaje en superficie
Número de pin 3
Resistencia máxima de la fuente de drenaje 200 mΩ
Modo de canal Mejora
Voltaje máximo de umbral de compuerta 4 V
Umbral mínimo de voltaje máximo de compuerta 2 V
Disipación de potencia máxima 48 W
Configuración de transistor Única
Voltaje máximo de fuente de compuerta -20 V, +20 V
Carga de compuerta típica @ Vgs 25 nC a 10 V
Longitud 10,67 mm
Funcionamiento máximo temperatura +175 °C
Número de elementos por chip 1
Ancho 9,65 mm
Material del transistor Sí
Temperatura mínima de funcionamiento -55 °C
Altura 4,83 mm
